分子束外延InSb薄膜缺陷分析

分子束外延InSb薄膜缺陷分析分子束外延（MBE）是目前制备半导体晶体的一种主要方法。其优点在于薄膜的纯度高、控制性强、晶体质量高等。因此，MBE被广泛应用于半导体器件的研制中。InSb是一种广泛使用