行星式MOCVD外延生长高效GaN基LED关键工艺研究的开题报告

行星式MOCVD外延生长高效GaN基LED关键工艺研究的开题报告一、课题背景氮化镓（GaN）是一种重要的宽禁带半导体材料，具有较高的电子迁移率、较大的击穿场强度、反腐蚀性好等优良性能，是高亮度、高可靠