基于第一性原理的位错运动特性的分子模拟研究-固体力学专业论文

摘要通过外延生长得到的SiGe 异质结构薄膜在高性能Si 基器件上有着广泛 的应用前景。近年来，随着低温Si 缓冲层技术的提出，获得高质量、低位 错密度的SiGe 薄膜成为可能。对硅的位错形式和运动特