半导体物理第五章习题答案

第5章 非平衡载流子1. 一个n型半导体样品的额外空穴密度为1013cm-3,已知空穴寿命为100s,计算空穴的复合率。解:复合率为单位时间单位体积内因复合而消失的电子-空穴对数,因此2. 用强光照

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