多量子阱垒结构优化提高gan基led发光效率研究

多量子阱垒结构优化提高GaN基LED发光效率研究 　　摘 要：为了解决由于极化效应引起的漏电流影响发光效率的问题，以k.p理论为基础建立多量子阱模型，分析研究了GaN基LED中不同的InGaN/InG