半导体工艺化学实验报告

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半导体工艺化学实验报告 半导体工艺化学实验报告 在我们平凡的日常里，报告的适用范围越来越广泛，报告包含 标题、正文、结尾等。其实写报告并没有想象中那么难，以下是帮 大家的半导体工艺化学实验报告，仅供参考，希望能够帮助到大 家。 实验名称：硅片的清洗 实验目的：1.熟悉清洗设备 2.掌握清洗流程以及清洗前预准备 实验设备：1.半导体兆声清洗机（SFQ-1006T） 2.SC-1；SC-2 清洗的目的在于去除外表污染杂质，包括有机物和无机物。这 些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存 在于硅片外表。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和 人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属 金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和外表电导；碱金属 如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生 物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。去除污染的方法有物理清 洗和化学清洗两种。 我们这里所用的的`是化学清洗。清洗对于微米及深亚微米超大 规模集成电路的良率有着极大的影响。SC-1及SC-2对于去除颗粒 及金属颗粒有着显著的作用。 仪器准备： ①烧杯的清洗、枯燥 ②清洗机的预准备：开总闸门、开空气压缩机；开旋转总电源