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GaN市场与公司分析GaN特性及市场应用氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特。GaN 材料具有 3 倍于 Si 材料的禁带宽度、10

GaN 市场与公司分析 GaN 特性及市场应用 氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特。 GaN 材料具有 3倍于 Si 材料的禁带宽度、10 倍于 Si 的临界击穿电场和2.5 倍于 Si 的饱和漂移速度，特别是基于 GaN 的Al GaN/GaN 结构具有更高的电子迁移率，使得 GaN 器件具有低导通电阻、高工作频率，能满足下一代电子装备对功率器件更大功率、更高频率、 更小体积和更恶劣高温工作的要求。 相对于硅器件，GaN在开关速度方面优势和更高的带宽可以实现更高的开关频率，减小功率 级损耗和体积，，同时解决发热问题。GAN功率器件是平面架构，可以把外围驱动和控制电路 集成在一起，这样IC可以做得非常小而成本便宜。但GaN器件需要适合生态系统(合适驱动 器和控制器)，才能发挥GaN的优势，所以GaN的控制器、驱动器和功率拓扑的应同步发展， 才能获得最大的价值。 GaN 功率器件结构图 GaN的特性可用于自动驾驶车辆激光雷达驱动器、无线充电、5G基站中的高效功率放大器、 工业电机驱动、并网储能系统的逆变器、配电系统、风力/太阳能逆变器等。GaN产品可以使 功率损耗和电源尺寸几乎减半，这对消费电子适配器非常重要，也是智能手机和笔记本电脑 等移动通信设备强烈需要的。相对于SiC，GaN 更适用于中低压/高频领域，功率GaN技术凭 借其高速转换性能，由高压驱动电池和DC-AC工厂自备辅助电源的充电，以及DC-DC buck 向12V和未来48V电池的转变所带来的未来市场，都为GaN带来了无限可能。