半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法编制说明

国家标准《半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法》编制说明(送审稿)一、工作简况.立项目的和意义碳化硅(SiC)是一种典型的第三代宽禁带半导体材料，与第一、二代半导体材 料相比，Sic具有很多优势，