光刻工艺流程论文(1)

光刻工艺流程作者：张少军陕西国防工业职业技术学院 电子信息学院 电子****班24号 710300　摘要：光刻(photoetching)是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的工艺，在此之

光刻工艺流程 作者：张少军 陕西国防工业职业技术学院电子信息学院电子****班24号710300 摘要： photoetching 光刻()是通过一系列生产步骤将晶圆表面薄膜的特定部分除去的 工艺，在此之后，晶圆表面会留下带有微图形结构的薄膜。被除去的部分可能形态是薄膜内 的孔或是残留的岛状部分。 光刻胶；曝光；烘焙；显影；前景 关键词： Abstract:photoetchinglithography(is)throughaseriesofstepswillproducewafer surfacefilmofcertainpartsoftheprocess,removeafterthis,wafersurfacewillstaywiththe filmstructure.Thepartcanbeeliminatedwithintheapertureshapeisthinfilmorresidual island. Keywords:thephotoresist,Exposure;Bake;Enhancement;prospects 1基本光刻工艺流程—从表面打算到曝光 1.1光刻十步法 表面打算—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去 除—最终目检。 1.2基本的光刻胶化学物理属性 组成 聚合物+溶剂+感光剂+添加剂,一般应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，它们称为光 opticalresist 学光刻胶（），还有其它光刻胶可以与X射线或者电子束反应。 ■负胶：聚合物曝光后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种相互粘结的物质，抗刻蚀的， 大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物。 Novolak ■正胶：其基本聚合物是苯酚-甲醛聚合物，也称为苯酚-甲醛树脂，聚合物是相对 不行溶的，在用适当的光能量曝光后，光刻胶转变成可溶状态。