富硅氮化硅及其硅量子点薄膜材料的制备及其特性研究-物理学;光学专业毕业论文
2.45;沉积速率随温度升高有增大趋势但变化不明显;制备的薄膜主要为非晶结构的富硅氮化硅薄膜。 2.对薄膜进行退火研究发现,随退火温度的升高,薄膜中硅、氮缺陷态的荧光发光强度呈现先减小后增大的趋势,而
富硅氮化硅及其硅量子点薄膜材料的制备及其特性研究-物理学;光学专业毕业论文