不同退火温度下Mo4H-SiC肖特基接触界面特性分析

不同退火温度下Mo4H-SiC肖特基接触界面特性分析摘要：本文研究了不同温度下Mo4H-SiC肖特基接触的电学特性。使用电子束蒸镀法制备了Mo4H-SiC肖特基接触。通过在297K至973K的不同退火