宽带GaN HEMT器件的建模与仿真的开题报告

宽带GaN HEMT器件的建模与仿真的开题报告一、研究背景及意义随着通信和雷达等高频系统的快速发展，对高功率、高频率、高效率和高线性度功放的需求越来越迫切。GaAs、GaN等材料的高电子迁移率和高饱和