电力电子技术期末考试试题答案

IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GT