不同浓度SiGe沟道FinFET器件制备技术研究的任务书

不同浓度SiGe沟道FinFET器件制备技术研究的任务书任务书一、研究背景随着信息和通信技术的快速发展，现代集成电路的快速发展已经成为了现代科技的标志之一。在其中，场效应晶体管是目前普遍应用的器件之一