ZnO纳米线阵列的制备与光学性能的研究的开题报告

Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备与光学性能的研究的开题报告摘要：本论文研究了Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备与光学性能。通过化学气相沉积法制备了Si及Si/ZnO纳米线阵列，并进行了表征。利用紫外

SiSi/ZnO 及纳米线阵列的制备与光学性能的研究的 开题报告 摘要： 本论文研究了Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备与光学性能。通过化 学气相沉积法制备了Si及Si/ZnO纳米线阵列，并进行了表征。利用紫 外可见光谱测试了样品的吸收光谱，并利用荧光光谱测试了样品的发射 光谱。研究结果表明，Si及Si/ZnO纳米线阵列具有优异的光学性能，并 可作为光学传感器等方面的应用。 关键词：Si纳米线，ZnO纳米线，化学气相沉积法，光学性能 一、研究背景 随着现代科技的不断发展，纳米材料逐渐引起越来越多的关注，人 们对其性质及应用也展开了深入的研究。Si作为一种重要的半导体材 料，因其在微电子学中的广泛应用而受到了广泛的关注。而ZnO因其优 异的物理化学性质，在生物医学、光电器件等领域也有着广泛的应用前 景。 Si纳米线由于其具有的优异的光学、电学性能和较大的比表面积， 应用价值十分广泛。而ZnO纳米线由于其宽直接带隙和高透明性，也具 有潜在的应用价值。而Si纳米线和ZnO纳米线的复合材料，在柔性显 示、光学传感器等方面的应用也有着广阔的前景。 二、研究内容和意义 本论文将主要研究Si及Si/ZnO纳米线阵列的制备方法并对其进行 表征，探究其在光学性能方面的应用。为了制备纳米线阵列，将采用化 学气相沉积法，以SiCl4和Zn(OAc)2为原料，在高温条件下通过气相反 应生成Si及Si/ZnO纳米线阵列。通过SEM、TEM等手段对样品进行表