应力对单层GaTe能带结构和迁移率影响的第一性原理研究

应力对单层GaTe能带结构和迁移率影响的第一性原理研究应力对单层GaTe能带结构和迁移率影响的第一性原理研究摘要：单层石墨烯具有优异的导电性能，但缺乏带隙限制了其在电子器件应用中的广泛使用。与此相比，