不同生长阱宽的InGaNGaN多量子阱光电特性的测试与分析的任务书

不同生长阱宽的InGaNGaN多量子阱光电特性的测试与分析的任务书任务背景：InGaN材料具有很好的光电特性，被广泛应用于LED、LD和光探测器等光电器件中。在上述光电器件中，多量子阱结构的设备是一种