Al0.82In0.18NGaN单量子阱中的子带间跃迁

Al0.82In0.18NGaN单量子阱中的子带间跃迁引言氮化物半导体在固态照明、无线通讯、太阳能电池和高功率电子等领域都有广泛的应用。而氮化铟镓（AlInGaN）则是有好的应用前景的一种氮化物半导体