液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究

液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究液封坩埚下降法生长非掺杂InP单晶的特性研究摘要：InP (磷化铟) 是一种具有广泛应用前景的半导体材料，因其优异的电子输运性能和光学特性而备受关注。本文采