GaN基HEMT器件缺陷研究

万方数据摘要摘要由于Ⅲ-Ⅴ族氮化物优良的材料性能，AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管（HEMT）在高压电力电子和高功率微波领域有着广阔的应用前景。然而，缺陷引起的关态栅泄漏电流过大、高频功率下降，