实验硅热氧化工艺分析

实验 硅热氧化工艺在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制造过程具有极为重要的意义。它不仅作为离子注入或热扩散的掩蔽层,而且也是保证器件表面不受周围气氛影响的钝化层,它不光是器件与器件

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