冶金法低成本多晶硅的磷吸杂及其MIS太阳电池的探索

冶金法低成本多晶硅的磷吸杂及其MIS太阳电池的探索摘要多晶硅（mc-Si）是太阳电池制造中最为常见的材料。本文研究的是如何在低成本的情况下通过磷吸杂的方法来改善mc-Si的电学性能，并探讨磷吸杂后的m

MIS 冶金法低成本多晶硅的磷吸杂及其太阳电池的 探索 摘要 多晶硅（mc-Si）是太阳电池制造中最为常见的材料。本文研究的是 如何在低成本的情况下通过磷吸杂的方法来改善mc-Si的电学性能，并 探讨磷吸杂后的mc-Si在金属-绝缘体-半导体（MIS）太阳电池中的应 用。本研究发现，选择合适的磷源和制备条件可以极大地提高磷吸收效 率，并促进电荷载流子的迁移和扩散，从而提高太阳电池的性能。 关键词：多晶硅；磷吸杂；MIS太阳电池；电学性能 引言 太阳能作为一种可再生的清洁能源，受到了广泛的关注和研究。在 太阳电池制造中，多晶硅是最为常见的材料之一。然而，多晶硅的电学 性能相对较差，如载流子迁移率低、热激发载流子密度低等，限制了太 阳电池的效率。因此，提高多晶硅的电学性能一直是太阳电池研究的热 点和难点之一。 磷吸杂技术是一种常用的提高多晶硅电学性能的方法。它通过在多 晶硅中引入磷原子，使其成为n型半导体，从而增加载流子密度和迁移 率，提高太阳电池的效率。然而，磷吸杂的过程需要耗费较高的成本。 因此，如何在低成本的情况下进行磷吸杂成为了太阳电池研究中亟待解 决的问题。 本文以低成本的方法为出发点，利用氧化铝膜作为磷源，采用低温 快速热退火的方法进行磷吸杂处理，并研究了磷吸杂处理后的多晶硅在 MIS太阳电池中的应用。 材料和方法