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3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断?答:(1)维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持电流(IH)。 (2) 要使晶闸管由导通变为关

3. 维持晶闸管导通的条件是什么?怎样才能使晶闸管由导通变为关断? 答:(1)维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流,即维持 电流(I)。 H (2)要使晶闸管由导通变为关断,可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近 于零的某一数值以下,即降到维持电流以下,便可使导通的晶闸管关断。 I 4.2-27 图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形,各波形的电流最大值均为,试计算各波 m IIIIII 形的电流平均值、、与电流有效值、、。 d1d2d3123 1IGBTGTRGTOMOSFET 补充:)说明、、和电力各自的优缺点。 器件 优点 缺点 开关速度高,开关损耗小,具有耐脉冲电流 开关速度低于电力MOSFET, IGBT 冲击的能力,通态压降较低,输入阻抗高, 电压,电流容量不及GTO 为电压驱动、驱动电路简单、驱动功率小 耐压高,电流大,开关速度略高于GTO,通流 开关速度低,所需驱动功率大,电流驱动、 GTR 能力强,饱和压降低 驱动电路复杂,存在二次击穿问题 电流关断增益很小,关断时门极负脉冲 电压、电流容量大,适用于大功率场合, GTO 电流大,开关速度低,电流驱动、驱动 具有电导调制效应,其通流能力很强 功率大,驱动电路复杂,开关频率低 电力 开关速度快、工作频率高,热稳定性好, 电流容量小,耐压低,一般只适用于 MOSFE 输入阻抗高、电压驱动、所需驱动功率小且 10kW 功率不超过的电力电子装置 驱动电路简单,不存在二次击穿问题 T 2 )晶闸管的维持电流和擎住电流的概念与区别。 I 维持电流() —— 使晶闸管维持导通所必需的最小电流。一般为几十到几百毫安,并与结温成反比。 H I 擎住电流( —— 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所 L II 2~4 需的最小电流。对同一晶闸管来说,通常约为的倍。 LH 两者区别:描述的晶闸管的工作状态不同,对同一管子来说两者大小不同。

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