选择性原子层沉积HfO2Al2O3和ZnOAl2O3薄膜及其表征中期报告

选择性原子层沉积HfO2Al2O3和ZnOAl2O3薄膜及其表征中期报告一、研究背景半导体器件中的栅介电层对器件的性能起着至关重要的作用。目前人们普遍采用SiO2或高介电常数材料替代SiO2来作为栅介