光电检测知识点资料

第一章名称解释1.光通量2坎德拉3.照度4半导体中的非平衡载流子5绝对黑体6基尔霍夫定律7热噪声8产生-复合噪声91／f噪声知识要点半导体材料的光吸收效应(1)本征吸收 (2)杂质吸收 2.非平衡载流

第一章 名称解释 1. 光通量 2 坎德拉 3. 照度 4 半导体中的非平衡载流子 5 绝对黑体 6 基尔霍夫定律 7 热噪声 8- 产生复合噪声 91f ／噪声 知识要点 半导体材料的光吸收效应 (1) 本征吸收 (2) 杂质吸收 2. 非平衡载流子浓度 载流子复合过程一般有直接复合和间接复合两种。 物体的光谱发射率总等于其光谱吸收比。也就是强吸收体必然是强发射体。 维恩位移定律指出：当绝对黑体的温度增高时，单色辐出度的最大值向短波方向 移动。 光电子发射过程可以归纳为以下三个步骤： (1) 物体吸收光子后体内的电子被激发到高能态； (2) 被激发电子向表面运动，在运动过程中因碰撞而损失部分能量； (3) 克服表面势垒逸出金属表面。 一般光电检测系统的噪声包括三种： (1) 光子噪声包括：信号辐射产生的噪声和背景辐射产生的噪声。 (2)-1f 探测器噪声包括：热噪声、散粒噪声、产生复合噪声、／噪声和温度噪 声。 (3) 信号放大及处理电路噪声 1f1/f300Hz 在半导体器件中／噪声与器件表面状态有关。多数器件的噪声在 以上时已衰减到很低水平，所以频率再高时可忽略不计。 lf- 在频率很低时；／噪声起主导作用；当频率达到中间频率范围时，产生复合 噪声比较显著；当频率较高时，只有白噪声占主导地位，其它噪声影响很小了 1