微电子器件期末试题

一、填空题1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为和,本征载流子浓度为，则PN结内建电势的表达式。2.对于单边突变结结，耗尽区主要分布在N区，该区浓度越低，则耗尽区宽度值越大，内建电场的最大值越小；随着