基于表面势的GaN HEMT器件模型研究的开题报告

基于表面势的GaN HEMT器件模型研究的开题报告1. 研究背景和意义氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)是当今高速、高功率电子器件的重要组成部分。但是，在高功率条件下，GaN HEMT晶体