单晶硅的主要制备方法比较

单晶硅的主要制备方法比较  硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶(包括中子嬗

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