单晶硅的主要制备方法比较
单晶硅的主要制备方法比较 硅单晶的制备方法:按拉制方法不同分为无坩埚区熔(FZ)法与有坩埚直拉(CZ)法。区熔拉制的单晶不受坩埚污染,纯度较高,适于生产电阻率高于20欧/厘米的N型硅单晶(包括中子嬗
单晶硅的主要制备方法比较