Ⅲ-Ⅴ族量子阱的共振隧穿及Ⅰ-Ⅴ特性理论研究的综述报告

Ⅲ-Ⅴ族量子阱的共振隧穿及Ⅰ-Ⅴ特性理论研究的综述报告Ⅲ-Ⅴ族量子阱是一种由III元素（如Ga或In）与V元素（如As或P）组成的半导体材料。它具有优良的电学、光学性能，并因其在能带结构上的特殊设计而