紫外光敏宽禁带半导体材料的设计与制备的开题报告

紫外光敏宽禁带半导体材料的设计与制备的开题报告1. 研究背景及意义紫外光敏宽禁带半导体材料具有中心波长在200~400nm范围内的高光电转换效率和较大的响应度，可应用于光催化、太阳能电池、气体传感器、