5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

5nm及更先进节点上FinFET的 未来：使用工艺和电路仿真来预 测下一代半导体的性能箫嘉长匚＞硅绢片刻蚀匚〉为源漏gp型外延的选撵性匚〉重黑瞿瑞的虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为F