Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体量子点中激子的光吸收研究的综述报告

Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体量子点中激子的光吸收研究的综述报告Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体（如GaN、InN、AlN等）以其优异的物理、电学和光学特性而在光电子学领域得到广泛关注。其中，量子点结构是一种具有独特优势的