激光诱导Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程的温度场应力场模拟研究的开题报告

激光诱导Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程的温度场应力场模拟研究的开题报告1.研究背景及意义随着信息技术的快速发展，迫切需要新型的存储介质来满足大数据存储的需求。采用相变存储技术是一种有前途的解决方案，而