InGaNGaN多量子阱光学特性研究的中期报告

InGaNGaN多量子阱光学特性研究的中期报告在过去的几年中，InGaN/GaN多量子阱（MQW）结构在光电子学中已经取得了很多重要的进展。这种结构的应用涵盖了从LED到激光器等广泛的领域。针对这种复