zno半导体材料及器件

ZnO半导体材料及器件 【摘要】在过去的十多年时间里里,ZnO作为半导体具有独特的性质而倍受瞩目和广泛研究。例如，ZnO具有较高的电子迁移率，是直接带隙半导体，具有较宽的禁带宽度和较大的激子束缚

ZnO 半导体材料及器件 ,ZnO 【摘要】在过去的十多年时间里里作为半导体具有独特的性质 ZnO 而倍受瞩目和广泛研究。例如，具有较高的电子迁移率，是直接带隙 半导体，具有较宽的禁带宽度和较大的激子束缚能。在光电器件的应用上， ZnOpZnO 已经被认为是一种很有潜力的材料，而制造高质量的型是实 现其应用的关键。由本征缺陷或者氢杂质引起的较强的自补偿效应使得通 pZnO 过掺杂来制得型半导体非常困难。尽管如此，通过研究者们的努 pZnOZnO 力，在制备高质量的型半导体和基于的器件上已经取得了很 大的进步。 pZnOZnO 【关键词】型；器件 1997D. M. BagnallZnO 年等人在室温下得到了薄膜的光泵浦受 [1]Science“Will UV Lasers Beat the Blues?” 激发射。美国杂志以为 .ZnOD. M. Bagnal 题对该结果作了报道由此，掀起了对的研究热潮。 0001ZnO 等利用等离子体增强分子束外延在蓝宝石的（）衬底上生长的 240kW cm-2 薄膜，在室温下、阈值激励强度为的条件下发出了激光（见 下图）。 ZnO 一、的性质 1ZnO （）作为一种新型的直接宽带隙光电半导体材料，其晶体结构 GaNGaN 与一致，晶格常数与的非常接近，在电子和光电子器件应用方 面具有很多吸引人的特征与优点。 2ZnOEg~3.37 eV 300 KGaN （）的直接带隙很宽（在下），与