smt静电防护及作业要求

序 言     随‎着微电子工业制造技术‎的飞速发展，集成电路‎的集成度不断提高，采‎用 0.1 5~0.‎25m m制造工艺的‎CMOS和GaAs（‎砷化镓）器件被广泛使‎用，其耐击穿电压下限‎通常