硕士论文-氮化镓基led芯片的制备研究

华东师范大学硕士学位论文氮化镓基LED芯片的制备研究姓名：姚雨申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：靳彩霞20070401论文摘要 GaN是一种宽禁带半导体材料，在室温下其直接带隙宽度为3．