SiGe-MOS器件模型研究的开题报告

基于Spice的应变Si/SiGe MOS器件模型研究的开题报告一、研究背景及意义：Si/SiGe MOS器件具有在高频率和低功耗应用领域中具有广泛的应用前景。传统基于现有模型的解决方案不能正确得到S