甘氨酸间歇冷却结晶中晶种表面积对晶体粒度分布的影响：一种加晶种方法

甘氨酸间歇冷却结晶中晶种表面积对晶体粒度分布的影响：一种加晶种方法B.Loı, Mi Lung-Somarribaa, M. Moscosa-Santillanb, C. Porte*, A.Dela

文献翻译 1 甘氨酸间歇冷却结晶中晶种表面积对晶体粒度分布的 影响：一种加晶种方法 B.Loı,MiLung-Somarribaa,M.Moscosa-Santillanb, C.Porte*,A.Delacroix 在间歇冷却结晶中，如果添加晶种过程中没有认真完成，晶体粒度分布 摘要： CSD （）是分散的。本文研究工作的目的是确定添加晶种操作的最佳条件。结果 SCSD 表明，如果晶种表面积达到一个特定值，称为临界表面，则可以得到控 C S 制，不过，不是唯一需要加以考虑的参数。由于生长速率分散的原因，使得获 C 得产品的平均粒径取决于所用晶种的粒径。事实上，不同粒径的晶种表现出不同 CSD 的作用，这也就解释了晶体生长速率存在差异的原因。为了获得均一的产 品，本文提出了添加晶种的原则，因为最终的产品粒径是由晶种预先决定的。 关键词： 二次成核，间歇冷却结晶，加晶种方法，晶种表面积，甘氨酸 1. 介绍 在化学品、化妆品和药品工业中，结晶是十分必要的，因为它们决定着晶体 的特征，这一点在最后的操作中很重要如过滤或干燥。晶体颗粒的主要特征是晶 CSDCSD 体粒径和晶体粒度分布（）。为了控制间歇结晶的，有些作者提出冷 [1] /CSD 却，搅拌和或加晶种的有关方法。为了改善加晶种间歇冷却结晶的，有 人建议使用一个交替循环的温度：即一系列的冷却加热期。 符号说明 2 LmmScm 某一粒度级的晶体粒径（）必需晶种表面积（） C LmmWg 最终最大的晶体粒径（）某一粒度级的晶体质量（） C LmmWg 晶种粒径（）理论结晶质量（） SC LmmWg 最终晶种产品晶体粒径（）晶种质量（） SPS Lmm 最终产品晶体粒径（）α体积形状因子（无因次） WP -3 gcm β表面形状因子（无因次）ρ晶体密度（） [2] CSD 加热期是为了让细小的粒子溶解来得到一个狭窄的。此外，经验表明， [3] CSD 加晶种作为一个结晶中控制起着关键作用的过程。 [4] 若二次成核被视为微不足道的，下列方程可用来确定晶种的粒径： /=(/,(1) 其中各符号代表的意义可见符号说明。