原子核物理及核辐射探测学第十章练习题(免费)

第三章作业答案1.用图3.6的列线图，求出由具有1000Ω*CM电阻率的N型硅制造的一个结型半导体探测器中产生0.1mm厚耗尽深度所需要的偏压。解：教材P161图3.6 0.1mm=100um，连接