MOSFET参数及其测试方法

参数类别（物理特征）：1、漏源电压系列1.1、V(BR)DSS：漏源击穿电压1.2、dV(BR)DSS/dTJ：漏源击穿电压的温度系数1.3、VSD：二极管正向（源漏）电压1.4、dV/dt：二极管恢