埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究

埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究埋栅型SIT和VDMOS的单粒子烧毁效应对比研究摘要：现代电子器件面临的电磁环境越来越恶劣，各种粒子辐射对电子器件的可靠性和性能带来了很大的挑战。本文通