Mg,Co掺杂ZnO薄膜的制备及其性能研究

摘要摘 要ZnO是Ⅱ-Ⅵ族宽禁带半导体材料，属于六角纤锌矿结构，具有较大的激子束缚能，带隙宽度为3.37eV，可以实现室温下的紫外受激辐射。它还具有介电、压电和光电等特性，在光电导、压电、光波导、发光