碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究

碳化硅MOSFET特征参数随温度变化的比较研究碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）是一种新型的半导体材料，具有优异的热特性，宽禁带宽度和高击穿电压等特点，使得SiC MOSFET成为高