GaN HEMTs器件研究的开题报告

浮空场板AlGaN/GaN HEMTs器件研究的开题报告一、研究背景随着信息技术的日益发展，对高速、高功率、高频、高可靠性的半导体器件的需求越来越高。尤其在军事、航空航天、通信等领域，对高性能半导体器