4.5 短沟道效应和窄沟道效应Chapter4 MOSFET

- 1．概述 - 长沟道理论假定沟道长度大到足可以忽略边缘效应，用缓变沟道近似对器件进行一维分析。如果器件的沟道长度小到可以与源结和漏结的耗尽层宽度相比拟时，源结和漏结