等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的应力形成与释放机理

等离子体增强化学气相沉积法制备立方氮化硼薄膜过程中的应力形成与释放机理立方氮化硼（c-BN）薄膜是一种非常有应用潜力的制备材料。等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）是一种有效制备c-BN薄膜的方法