CNTPAn膜电极的电化学制备及电容性能研究

CNTPAn膜电极的电化学制备及电容性能研究一、引言CNTPAn膜电极是一种新型的电容器材料，其具有高比电容、低电阻和高循环稳定性等优点，在储能器件方面具有广泛的应用前景。本文旨在探究CNTPAn膜电

CNTPAn 膜电极的电化学制备及电容性能研究 一、引言 CNTPAn膜电极是一种新型的电容器材料，其具有高比电容、低电 阻和高循环稳定性等优点，在储能器件方面具有广泛的应用前景。本文 旨在探究CNTPAn膜电极的电化学制备方法及其电容性能的研究。 二、CNTPAn膜电极的制备方法 1.前驱体的制备 将高纯度的Py（C4H4N2）和FeCl3溶解在无水乙腈中，形成20 mmol/L的FeCl3/Py溶液；同时将NH4VO3溶解在去离子水中，形成 溶液，并将两种溶液混合搅拌30分钟，得到混合物。 2.制备方法 将要制成膜形的混合物溶液滴加到氧化铬（CrO3）涂覆的金属电极 表面上，并在空气中自然干燥，形成一层薄膜。将薄膜置于加热后的燃 气烤箱内进行热处理，以生成处理后的高度氧化的膜。接下来从膜上进 行洗涤处理，并在对异氰脲酸酯进行溶解的过程中，形成对该物质的配 体（CN）修饰的高度氧化的“氧化石墨烯”（GO）。最后通过还原氧 化石墨烯（rGO）化学还原前膜修饰物，形成最终的CNTPAn膜电极。 此制备方法可以避免高温或高压条件下形成的不期望化合物的形 成，同时也保证了样品的高度氧化程度，从而保证了CNTPAn膜电极的 优良电容性能。 三、CNTPAn膜电极的电容性能研究 1.循环伏安法测定CNTPAn膜电极的电容特性 我们采用循环伏安法来测定CNTPAn膜电极的电容特性，如图所 示。结果表明，在0到1V的范围内，在0.1MV/s的扫描速度下， CNTPAn膜电极的比电容为390F/g。