ZnS包覆的CdSe量子点的荧光光谱特性研究

ZnS包覆的CdSe量子点的荧光光谱特性研究随着纳米技术的不断发展，纳米量子点作为一种新型的半导体材料，具有很多优越的性质，如尺寸可调性，高比表面积，良好的光学性能和电学性能等。其中，CdSe量子点因

ZnSCdSe 包覆的量子点的荧光光谱特性研究 随着纳米技术的不断发展，纳米量子点作为一种新型的半导体材 料，具有很多优越的性质，如尺寸可调性，高比表面积，良好的光学性 CdSe 能和电学性能等。其中，量子点因其良好的荧光特性被广泛应用于 生物成像、量子点谷等领域。但是，由于其本身的有毒性和易溶性等缺 CdSe 陷，导致了其在应用上的限制。因此，研究在纳米尺度上为量子点 进行合理的包覆来降低其毒性是至关重要的。 ZnSCdSe 近年来，作为一种优秀的包覆材料，被广泛研究和应用在 ZnSCdSe 量子点的包覆上。的化学惰性能够有效防止量子点在溶液中的 CdSeZnS 解离和氧化反应，从而保护量子点的稳定性。此外，还拥有优 CdSe 异的光学特性，其能带对量子点的能带有显著的调制作用，从而改 CdSe 善量子点的荧光性能。 ZnSCdSe 本论文旨在探究包覆的量子点的荧光光谱特性并分析其 CdSeZnSCdSe 优越性。研究采用了沉淀法合成量子点和包覆量子点， 并运用紫外可见吸收光谱、荧光光谱和荧光寿命测量等技术，对不同粒 CdSeZnSCdSe 径的量子点以及包覆量子点的荧光特性进行了研究。 CdSe607nm 实验结果表明，量子点的荧光发射峰位于约处。而在 ZnS 包覆下，荧光峰位置出现蓝移现象，且随粒径的增大，蓝移现象越明 ZnSCdSe 显。此外，包覆后的量子点荧光强度也得到了明显的提高，并 ZnSCdSe 且其荧光寿命也有所增加，这表明包覆对量子点的荧光性能有 着有效的调控作用。 ZnSZnS 但是，研究也发现了一些问题。随着包覆比例的增加，和 CdSeCdSe 量子点之间的结合具有较强的能量匹配，从而限制了量子点 ZnS 的荧光性能的控制，导致荧光强度的提高有所限制。此外，包覆后量 ZnSCdSe 子点的紫外光谱吸收发生了显著的变化，说明包覆能够影响量 子点的表面缺陷和结构性质，这需要通过更深的研究来解释。 ZnSCdSe 总的来说，本研究表明包覆对量子点的荧光性能具有显