n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究

n型气相外延GaAs层中中子辐照感生缺陷的研究随着科学技术的不断发展，半导体材料的应用越来越广泛。其中GaAs作为半导体材料之一，因其具有高载流子迁移率、高热稳定性等优良性质，它在电子器件、光电子器件